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【800～1200万円】SiCデバイス・プロセス開発リーダー[52355]
| 採用企業 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
| 勤務地 | 茨城県 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 800万円 ~ 1200万円 |
募集要項
【求人No NJB2253054】
【職務内容】
当社パワー半導体事業では、急成長するxEV市場向けのIGBTとPower MOSFETに注力し、旺盛な需要に対応するために生産能力を増強しています。
これらに加えて、より高性能なSiC MOSFETを早期に市場に投入する予定です。
当社が保有する世界トップクラスのデバイス・プロセス技術エンジニアとともに、競合他社に勝る次世代SiCデバイス開発をリードできる人材を募集します。
SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント
・関連企業との協業および交渉
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導
・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携、交渉
【魅力】
ルネサスは「人々の暮らしを楽（ラク）にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。
当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20 000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。
当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。
応募必要条件
| 職務経験 | 無し |
| キャリアレベル | 中途経験者レベル |
| 英語レベル | ビジネス会話レベル |
| 日本語レベル | ネイティブ |
| 最終学歴 | 大学卒： 学士号 |
| 現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
スキル・資格
【必須要件】
・SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験
・海外との共同プロジェクト経験
・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識
【歓迎要件】
・グローバルなプロジェクトマネジメント、チームマネジメント
勤務地
- 茨城県
労働条件
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 800万円 ~ 1200万円 |
| 勤務時間 | 08:30 ～ 17:15 |
| 休日・休暇 | 【有給休暇】初年度23日付与*ただし入社月による 試用期間中は使用の制限あり 【休日】完全週休二日制 土 日 祝日 夏季休暇 … |
| 業種 | 電気・電子・半導体 |
職種
- 技術系（機械・メカトロ・自動車） > 設計・開発エンジニア
- 技術系（電気・電子・半導体） > 設計・開発エンジニア
- 技術系（電気・電子・半導体） > 生産技術・製造技術・エンジニアリング（電気・電子・半導体）
