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採用企業 | ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社 |
勤務地 | 茨城県 |
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 600万円 ~ 800万円 |
【求人No NJB2180210】
■ 担当技術分野
ドライエッチング技術
■ 対象デバイス
150mm~200mm(SiCパワーデバイス)
■ 担当業務
・SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入/エッチング条件構築)
・Siデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入エッチング条件構築等)
・生産技術開発(生産性改善・歩留まり向上・コストダウン及びBCM推進等)
職務経験 | 無し |
キャリアレベル | 中途経験者レベル |
英語レベル | ビジネス会話レベル |
日本語レベル | ネイティブ |
最終学歴 | 大学卒: 学士号 |
現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
[Must]
・ドライエッチングプロセス開発・改善業務の経験を有する方
[Want]
・SiCパワーデバイスのドライエッチング(特にトレンチ形成)における使用設備の導入/評価やプロセス構築経験を有する方
・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 600万円 ~ 800万円 |
勤務時間 | 08:30 ~ 17:15 |
休日・休暇 | 【有給休暇】初年度 23日 1か月目から ※入社月に付与(但し、入社月により付与日数に変動あり)、詳細はオファー時に確認。 【… |
業種 | 電気・電子・半導体 |