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採用企業 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
勤務地 | 群馬県 |
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 600万円 ~ 1300万円 |
【求人No NJB2202563】
【職務内容】
SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント
・関連企業との協業および交渉
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など 多部門との連携、交渉
【魅力】
ルネサスは「人々の暮らしを楽(ラク)にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。
当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20 000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。
当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。
職務経験 | 無し |
キャリアレベル | 中途経験者レベル |
英語レベル | ビジネス会話レベル |
日本語レベル | ネイティブ |
最終学歴 | 大学卒: 学士号 |
現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
(1)Must要件
・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上
・150nm、200mmウエハプロセス開発経験 3年以上
・英語でのプレゼンテーションスキル
(2)Want要件
・SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上
(3)Better要件
・海外との共同プロジェクト経験
・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識
雇用形態 | 正社員 |
給与 | 600万円 ~ 1300万円 |
勤務時間 | 08:30 ~ 17:15 |
休日・休暇 | 【有給休暇】初年度 23日 1か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 祝日 夏季休暇 年末年始 【有給休暇】入社月に付与(… |
業種 | 電気・電子・半導体 |