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求人ID : 1488137
更新日 :
2024年11月22日
ルネサス エレクトロニクス株式会社での募集です。
プロセスエンジニア（半導体）…
【800～900万円】SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア [53044]
| 採用企業 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
| 勤務地 | 愛媛県 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 800万円 ~ 900万円 |
募集要項
【求人No NJB2133826】
【担当技術】
SiCエピタキシャル成長プロセス開発エンジニア
【担当業務】
SiCエピタキシャル成長装置立ち上げ、プロセス条件出し、量産化
【担当職場】
自社前工程国内拠点
応募必要条件
| 職務経験 | 無し |
| キャリアレベル | 中途経験者レベル |
| 英語レベル | ビジネス会話レベル |
| 日本語レベル | ネイティブ |
| 最終学歴 | 大学卒： 学士号 |
| 現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
スキル・資格
【MUST】
SiCエピタキシャル成長プロセス開発の従事経験が2年以上あること。
【WANT】
4年制大学または大学院にて工学、化学、物理学等を修了していること。
勤務地
- 愛媛県
労働条件
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 800万円 ~ 900万円 |
| 勤務時間 | 08:30 ～ 17:15 |
| 休日・休暇 | 【有給休暇】初年度 23日 1か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 祝日 夏季休暇 年末年始 【有給休暇】入社月に付与（… |
| 業種 | 電気・電子・半導体 |
職種
- 技術系（電気・電子・半導体） > 生産技術・製造技術・エンジニアリング（電気・電子・半導体）
