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【1000～2000万円】Power Device Design Senior Engineer
| 採用企業 | 外資系デバイスメーカー |
| 勤務地 | 大阪府 |
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 1000万円 ~ 2000万円 |
募集要項
【求人No NJB2224778】
・高性能パワーデバイス（SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT）のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。
・高性能パワーデバイス（SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT）の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。
応募必要条件
| 職務経験 | 無し |
| キャリアレベル | 中途経験者レベル |
| 英語レベル | ビジネス会話レベル |
| 日本語レベル | ネイティブ |
| 最終学歴 | 大学卒： 学士号 |
| 現在のビザ | 日本での就労許可が必要です |
スキル・資格
必須要件
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験（直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須）、または優秀な博士課程の新卒者。
・パワーデバイス（SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT）の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。
・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。
勤務地
- 大阪府
労働条件
| 雇用形態 | 正社員 |
| 給与 | 1000万円 ~ 2000万円 |
| 勤務時間 | 09:00 ～ 18:00 |
| 休日・休暇 | 【有給休暇】有給休暇は入社後4ヶ月目から付与されます 初年度 14日 4か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 夏季休暇 … |
| 業種 | 通信・キャリア |
職種
- 技術系（電気・電子・半導体） > 設計・開発エンジニア
会社概要
| 会社の種類 | 外資系企業 |
