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Hiring Company | ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社 |
Location | Ibaraki Prefecture |
Job Type | Permanent Full-time |
Salary | 6 million yen ~ 8 million yen |
【求人No NJB2180210】
■ 担当技術分野
ドライエッチング技術
■ 対象デバイス
150mm~200mm(SiCパワーデバイス)
■ 担当業務
・SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入/エッチング条件構築)
・Siデバイス向けドライエッチング技術開発(装置選定導入エッチング条件構築等)
・生産技術開発(生産性改善・歩留まり向上・コストダウン及びBCM推進等)
Minimum Experience Level | No experience |
Career Level | Mid Career |
Minimum English Level | Business Level |
Minimum Japanese Level | Native |
Minimum Education Level | Bachelor's Degree |
Visa Status | Permission to work in Japan required |
[Must]
・ドライエッチングプロセス開発・改善業務の経験を有する方
[Want]
・SiCパワーデバイスのドライエッチング(特にトレンチ形成)における使用設備の導入/評価やプロセス構築経験を有する方
・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること
Job Type | Permanent Full-time |
Salary | 6 million yen ~ 8 million yen |
Work Hours | 08:30 ~ 17:15 |
Holidays | 【有給休暇】初年度 23日 1か月目から ※入社月に付与(但し、入社月により付与日数に変動あり)、詳細はオファー時に確認。 【… |
Industry | Electronics, Semiconductor |