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Job ID : 1488445 Date Updated : December 19th, 2024
ルネサス エレクトロニクス株式会社での募集です。 プロセスエンジニア(半導体)…

SiCデバイス・プロセス開発リーダー [52355]

Hiring Company ルネサス エレクトロニクス株式会社
Location Gunma Prefecture
Job Type Permanent Full-time
Salary 6 million yen ~ 13 million yen

Job Description

【求人No NJB2202563】
【職務内容】
SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント

・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント
・関連企業との協業および交渉
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など 多部門との連携、交渉

【魅力】
ルネサスは「人々の暮らしを楽(ラク)にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。
当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20 000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。
当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。

General Requirements

Minimum Experience Level No experience
Career Level Mid Career
Minimum English Level Business Level
Minimum Japanese Level Native
Minimum Education Level Bachelor's Degree
Visa Status Permission to work in Japan required

Required Skills

(1)Must要件
・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上
・150nm、200mmウエハプロセス開発経験 3年以上
・英語でのプレゼンテーションスキル

(2)Want要件
・SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上

(3)Better要件
・海外との共同プロジェクト経験
・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識

Job Location

  • Gunma Prefecture

Work Conditions

Job Type Permanent Full-time
Salary 6 million yen ~ 13 million yen
Work Hours 08:30 ~ 17:15
Holidays 【有給休暇】初年度 23日 1か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 祝日 夏季休暇 年末年始 【有給休暇】入社月に付与(…
Industry Electronics, Semiconductor

Job Category

  • Electronics and Semiconductor Technology > Production Engineering (Electronics and Semiconductor Technology)