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Job ID : 1487788 Date Updated : October 25th, 2024
外資系デバイスメーカーでの募集です。 電子デバイス研究開発のご経験のある方は歓…

【1000~2000万円】Power Device Design Senior Engineer

Hiring Company 外資系デバイスメーカー
Location Osaka Prefecture
Job Type Permanent Full-time
Salary 10 million yen ~ 20 million yen

Job Description

【求人No NJB2224778】
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。

General Requirements

Minimum Experience Level No experience
Career Level Mid Career
Minimum English Level Business Level
Minimum Japanese Level Native
Minimum Education Level Bachelor's Degree
Visa Status Permission to work in Japan required

Required Skills

必須要件
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。
・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。
・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。

Job Location

  • Osaka Prefecture

Work Conditions

Job Type Permanent Full-time
Salary 10 million yen ~ 20 million yen
Work Hours 09:00 ~ 18:00
Holidays 【有給休暇】有給休暇は入社後4ヶ月目から付与されます 初年度 14日 4か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 夏季休暇 …
Industry Communication

Job Category

  • Electronics and Semiconductor Technology > Design, Development Engineer

Company Details

Company Type International Company