CareerCross uses cookies to enhance your experience on our websites. If you continue to view our sites without changing your browser settings, then it is assumed that we have your consent to collect and utilise your cookies. If you do not want to give us your consent, then please change the cookie settings on your browser. Please refer to our privacy policy for more information.
CareerCross uses cookies to enhance your experience on our websites. If you continue to view our sites without changing your browser settings, then it is assumed that we have your consent to collect and utilise your cookies. If you do not want to give us your consent, then please change the cookie settings on your browser. Please refer to our privacy policy for more information.
Hiring Company | 外資系デバイスメーカー |
Location | Osaka Prefecture |
Job Type | Permanent Full-time |
Salary | 10 million yen ~ 20 million yen |
【求人No NJB2224778】
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。
Minimum Experience Level | No experience |
Career Level | Mid Career |
Minimum English Level | Business Level |
Minimum Japanese Level | Native |
Minimum Education Level | Bachelor's Degree |
Visa Status | Permission to work in Japan required |
必須要件
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。
・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。
・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。
Job Type | Permanent Full-time |
Salary | 10 million yen ~ 20 million yen |
Work Hours | 09:00 ~ 18:00 |
Holidays | 【有給休暇】有給休暇は入社後4ヶ月目から付与されます 初年度 14日 4か月目から 【休日】完全週休二日制 土 日 夏季休暇 … |
Industry | Communication |
Company Type | International Company |